gmr梯度传感器可以用于车流量监控吗？

Gmr磁场传感器是巨磁阻磁场传感器。是集磁性薄膜、半导体集成、纳米技术于一体的高科技产品，应用广泛。它的技术结构应用了一个数学公式:gmr传感器=磁性材料+纳米技术+半导体集成。

巨磁电阻(GMR)传感器将四个GMR结构连接成桥，然后对其中两个进行磁屏蔽，使其对磁场不敏感。当有外磁场时，两个无屏蔽GMR结构的电阻在磁场的作用下发生变化，电桥的输出在外恒压源或恒流源的激励下发生变化，从而达到测量外磁场的目的。

扩展数据:

巨磁电阻效应简介

2007年诺贝尔物理学奖授予了德国乌利希亥姆霍兹研究中心的彼得·彼得·格伦伯格和法国XI大学的阿尔伯特·费特教授。两位获奖者在20世纪80年代独立进行了巨磁阻(gmr)研究。

两人都因发现巨磁电阻效应获得了今年的诺贝尔物理学奖。外部磁场可以通过巨磁电阻效应极大地改变磁性材料薄层的电阻。gmr效应的发现为开发紧凑型计算机硬盘的新型读取头铺平了道路，它可以将个人电脑、便携式音乐播放器(mp3播放器)和相机的硬盘存储容量提高到几千兆字节。

Gmr效应是由厚度为几纳米的多层金属膜的磁场引起的电阻变化引起的。简单来说，金属膜由磁化方向(参考方向)固定稳定的参考层和磁化方向由外部磁场(如指南针)决定的传感层组成。

传感层和参考层被只有几个原子厚的铜层隔开，从而产生gmr效应。施加的磁场和传感器参考层之间的角度决定了金属膜的电阻变化。

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